APTD2012SF4C

APTD2012SF4C 2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode DESCRIPTION z PACKAGE DIMENSIONS SF4 Made with Gallium Aluminum Arsenide Infrared Emitting diodes FEATURES z z z z z 2.0 mm x 1.25 mm SMD LED, 1.1 mm thickness Mechanically and spectrally matched to the phototransistor Package : 3000 pcs / reel Moisture sensitivity level: 3 RoHS compliant APPLICATIONS z z z z z z Infrared Illumination fo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Цвета свечения
Количество цветов в корпусе
Длина волны 1 цвета 880
Падение напряжения, тип.
Угол по горизонтали
Угол по вертикали
Тип корпуса
Размер 0.8 мм
Рабочая температура
Примечания Infrared LED, 0.8mm, 1-Element, 880
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Цвет N λ1 Длина волны 2 λ3 Iv1 Iv2 Iv3 Tц Поток U Pик αX αY CIE x CIE y Корпус Линза Схема T раб Примечания Карточка
товара
A- KP-2012F3C (KGB)
 
SMD080520X125MM в ленте 2000 шт
 
940
A- APTD2012F3C (KGB)
 
 
940 Infrared LED, 0.8mm, 1-Element, 940
A- APT2012F3C (KGB)
 
в ленте 2000 шт
 
940 Infrared LED, 1.3mm, 1-Element, 940
A- APT2012SF4C-PRV (KGB)
 
250 шт
 
880 Infrared LED, 1.3mm, 1-Element, 880

Файлы 1

показать свернуть
Документация на APTD2012SF4C 

APTD2012SF4C(Ver.2B)

Дата модификации: 12.10.2018

Размер: 279.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.