APT2012F3C
APT2012F3C
2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode
DESCRIPTION
PACKAGE DIMENSIONS
F3 Made with Gallium Arsenide Infrared Emitting diodes
FEATURES
2.0 mm x 1.25 mm SMD LED, 0.75 mm thickness
Mechanically and spectrally matched to the
phototransistor
Package: 2000 pcs / reel
Moisture sensitivity level: 3
Halogen-free
RoHS compliant
APPLICATIONS
Infrared Illumination...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Светодиод маломощный
- Серия: APT2012
- Корпус: —
- Норма упаковки: 2000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьЦвета свечения | ||
---|---|---|
Количество цветов в корпусе | ||
Длина волны 1 цвета | 940 | |
Угол по горизонтали | ||
Тип корпуса | ||
Размер | 1.3 мм | |
Рабочая температура | ||
Примечания | Infrared LED, 1.3mm, 1-Element, 940 |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Цвет | N | λ1 | Длина волны 2 | λ3 | Iv1 | Iv2 | Iv3 | Tц | Поток | U | Pик | αX | αY | CIE x | CIE y | Корпус | Линза | Схема | T раб | Примечания | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A- | KP-2012F3C (KGB) | SMD080520X125MM | в ленте 2000 шт | 940 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
A- | APTD2012F3C (KGB) | — | 940 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Infrared LED, 0.8mm, 1-Element, 940 | ||||||||||
A- | APTD2012SF4C (KGB) | — | 880 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Infrared LED, 0.8mm, 1-Element, 880 | ||||||||||
A- | APT2012SF4C-PRV (KGB) | — | 250 шт | 880 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Infrared LED, 1.3mm, 1-Element, 880 |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.