SBD20200CT

Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 200 В, ток до 20 А, с падением напряжения 800 мВ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBR20200CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P= MBR20200FCT (YJ)
 
ITO220AB 50 шт
 
P= MBR10200 (ANBON)
 
TO220AC
 
P= MBR20200FCT (ANBON)
 
ITO220AB
 
P= MBR20200CT (SHIKUES)
 
TO-220-3
 
P= MBR20150CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. TO-220-3L/TO-220F Plastic-Encapsulate Diode SBD20200CT、SBDF20200CT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER MAIN CHARACTERISTICS IO VRRM 20(2×10)A 200 V Tj 150 ℃ VF(typ) 0.76V (@Tj=125℃) TO-220-3L TO-220 F FEATURES  Low Power Loss,High Efficiency  Guard Ring Die Construction for Transient Protection  High Current Capability and Low Forward Voltage Drop MARKING 1 2 3 SBD SBD 20200CT XXXX F20200CT XXXX 1 2 3 1. ANODE SBD(F)20200CT = Device code Solid dot = Green molding compound device if none, the normal device XXXX = Code 1 2. CATHODE 2 3 3. ANODE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol SBD Parameter VRRM Peak repetitive reverse voltage VRWM Working peak reverse voltage VR DC blocking voltage VR(RMS) RMS reverse voltage 20200CT Average rectified output current IO F20200CT Unit 200 V 140 V 20 A 150 A IFSM Non-Repetitive peak forward surge current (8.3ms half sine wave) RΘJc Thermal resistance from junction to case ,Tc=25℃ RΘJA Thermal resistance from junction to ambient 62.5 ℃/W Tj Junction temperature 150 ℃ Tstg Storage temperature -55~+150 ℃ 2.0 3.0 ℃/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse voltage Reverse current Symbol Test conditions I R 0.1mA V(BR) = IR VR=200V IF=5A Forward voltage VF IF=10A Min Typ Max Unit V 200 uA Tj =25℃ 2.0 Tj =125℃ 2.0 mA Tj =25℃ 0.8 V Tj =125℃ 0.68 V Tj =25℃ 0.86 Tj =125℃ 0.76 100 0.95 V V *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на SBD20200CT 

Дата модификации: 02.01.1970

Размер: 1.19 Мб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    06 ноября 2024
    новость

    Применение полупроводниковых приборов JSCJ в стиральных машинах

    Современные стиральные машины – высокотехнологичные устройства, в которых электромеханические контроллеры давно уступили место электронным, использующим большое количество разнообразных полупроводниковых приборов. Для построения электронных узлов... ...читать

    24 октября 2024
    новость

    Элементная база JSCJ в бытовых холодильниках

    КОМПЭЛ представляет продукцию компании JSCJ – производителя электронных компонентов, выпускающего широкий ассортимент деталей как для профессиональной, так и для бытовой техники, в том числе бытовых холодильников. Линейные стабилизаторы (LDO) В... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.