Вход / Регистрация

P6SMB36CA

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SMBG Plastic-Encapsulate Diodes P6SMB SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Features ● PPP 600W ● VRWM 5.8V- 513V SMBG ● Glass passivated chip Applications ● Clamping Voltage Marking Bi-directional ● P6SMB XXCA/XXA Uni-direction XX : From 6.8 To 600 Symbol Unit Conditions Peak pulse power dissipation PPPM W with a 10/10...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO215AA
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (диапазон)
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
F~ P6SMB36CAR4 (TSC)
 
— — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
F~ P6SMB36CA (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
F~ P6SMB36CA (TSC)
 
DO214AA в ленте 3000 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SMBG Plastic-Encapsulate Diodes P6SMB SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Features ● PPP 600W ● VRWM 5.8V- 513V SMBG ● Glass passivated chip Applications ● Clamping Voltage Marking Bi-directional ● P6SMB XXCA/XXA Uni-direction XX : From 6.8 To 600 Symbol Unit Conditions Peak pulse power dissipation PPPM W with a 10/1000us waveform 600 Peak pulse current (1) IPPM A with a 10/1000us waveform See Next Table PD W On infinite heat sink at TL=75℃ 5.0 IFSM A 8.3 ms single half sine-wave unidirectional only 100 TJ,TSTG ℃ Item Power dissipation Peak forward surge current(2) Operating junction and storage temperature range Max -55 to +150 Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） Item Symbol Unit Conditions Max Maximum instantaneous forward Voltage (3) VF V at 35A for unidirectional only 3.5/5.0 RθJL ℃/W junction to lead 20 RθJA ℃/W junction to ambient， LLead = 10 mm 100 Thermal resistance Notes: (1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA= 25℃per Fig.2. (2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal (3) VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на P6SMB100A 

Subject:

Дата модификации: 07.08.2019

Размер: 802.4 Кб

5 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    24 ноября 2022
    новость

    TVS-диоды SUNCO поступили на склад КОМПЭЛ

    Большая партия TVS–диодов производства компании SUNCO пополнила склад КОМПЭЛ. На сегодняшний день SUNCO является крупнейшим в КНР производителем полного цикла, выпускающим дискретные силовые полупроводники. Основанная в 2000 г. в городе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)