Вход / Регистрация

P6SMB33A

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SMBG Plastic-Encapsulate Diodes P6SMB SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Features ● PPP 600W ● VRWM 5.8V- 513V SMBG ● Glass passivated chip Applications ● Clamping Voltage Marking Bi-directional ● P6SMB XXCA/XXA Uni-direction XX : From 6.8 To 600 Symbol Unit Conditions Peak pulse power dissipation PPPM W with a 10/10...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO215AA
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- 1.5KE33A (YJ)
 
DO201AE 1250 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 28.2V V(RWM), Unidirectional, Silicon
A- 1.5SMC33A (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 —
A- P6SMB33A (YJ)
 

P6SMB33A/TR7 (YAG) 		DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- 1.5SMC33AQ (YJ)
 
—
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- P4KE33A (YJ)
 
DO204AL 1 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 28.2V V(RWM), Unidirectional
A- P4SMA33A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- P6SMB33AQ (YJ)
 
—
 
 —
A- SMBJ28A (DC)
 

SMBJ28A/TR7 (YAG)
SMBJ28A (ONS-FAIR) 		DO214AA в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 28 В; Uогр(ном): 33 ... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 28V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- 1.5KE33 (DC)
 
DO-204AC DO-15 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 26.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- P4SMA33CAR3G (TSC)
 
— — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 28.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- 1.5KE33A (DC)
 
DO201 в коробках 500 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- 1.5SMC33A (TSC)
 
DO214AB 3000 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- 1.5SMC33AH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- P6KE33A (TSC)
 

P6KE33A (ONS-FAIR) 		DO204AC 3500 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- BZW06-28 (TSC)
 
DO204AC 3500 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- P6SMB33A (TSC)
 

P6SMB33A/TR7 (YAG) 		DO214AA 3000 шт
 
 — — —
A- P6SMB33AH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт — — —
A- P4SMA33A (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- P4SMA33AH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SMBG Plastic-Encapsulate Diodes P6SMB SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Features ● PPP 600W ● VRWM 5.8V- 513V SMBG ● Glass passivated chip Applications ● Clamping Voltage Marking Bi-directional ● P6SMB XXCA/XXA Uni-direction XX : From 6.8 To 600 Symbol Unit Conditions Peak pulse power dissipation PPPM W with a 10/1000us waveform 600 Peak pulse current (1) IPPM A with a 10/1000us waveform See Next Table PD W On infinite heat sink at TL=75℃ 5.0 IFSM A 8.3 ms single half sine-wave unidirectional only 100 TJ,TSTG ℃ Item Power dissipation Peak forward surge current(2) Operating junction and storage temperature range Max -55 to +150 Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） Item Symbol Unit Conditions Max Maximum instantaneous forward Voltage (3) VF V at 35A for unidirectional only 3.5/5.0 RθJL ℃/W junction to lead 20 RθJA ℃/W junction to ambient， LLead = 10 mm 100 Thermal resistance Notes: (1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA= 25℃per Fig.2. (2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal (3) VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на P6SMB100A 

Subject:

Дата модификации: 07.08.2019

Размер: 802.4 Кб

5 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    24 ноября 2022
    новость

    TVS-диоды SUNCO поступили на склад КОМПЭЛ

    Большая партия TVS–диодов производства компании SUNCO пополнила склад КОМПЭЛ. На сегодняшний день SUNCO является крупнейшим в КНР производителем полного цикла, выпускающим дискретные силовые полупроводники. Основанная в 2000 г. в городе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)