P6SMB12CA

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SMBG Plastic-Encapsulate Diodes P6SMB SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Features ● PPP 600W ● VRWM 5.8V- 513V SMBG ● Glass passivated chip Applications ● Clamping Voltage Marking Bi-directional ● P6SMB XXCA/XXA Uni-direction XX : From 6.8 To 600 Symbol Unit Conditions Peak pulse power dissipation PPPM W with a 10/10...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO215AA
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- P6KE12CA (YJ)
 

P6KE12CA (ONS-FAIR) 		DO204AC в ленте 3000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- P6SMB12CA (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- SMBJ10CA (DC)
 

SMBJ10CA/TR7 (YAG)
SMBJ10CA (ONS-FAIR) 		DO-214AA SMB в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 10 В; Uогр(ном): 12 ... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- P4SMA12CA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- P6SMB12CAQ (YJ)
 
—
 
 —
A- P6KE12CA/B (YAG)
 
DO-204AC DO-15 — P6KE, DO-204AC, 10.2V, 16.7V, BOX
A- 1.5KE12CA/B (YAG)
 
DO-204AC DO-15 — 1.5KE, DO-201, 10.2V, 16.7V, BOX
A- 1.5KE12CA/TR13 (YAG)
 
DO-204AC DO-15 — 1.5KE, DO-201, 10.2V, 16.7V, Reel 13"
A- BV-P6SMBJ12CA (BENCENT)
 
DO214AA — — —
A- 1.5KE12C (DC)
 
— — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9.72V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- 1.5KE12CA (DC)
 
DO201 в ленте 500 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- P6SMB12CA (TSC)
 
DO214AA 3000 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- P4KE12CA (TSC)
 
DO204AL 5000 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41
A- P4SMA12CA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- P6KE12C (TSC)
 
DO-204AC DO-204AC (DO-15) — — —
A- P6KE12CA (TSC)
 

P6KE12CA (ONS-FAIR) 		DO204AC 3500 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- P6KE12CAR0 (TSC)
 
— — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- BZW04-10B (TSC)
 
DO204AL 5000 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SMBG Plastic-Encapsulate Diodes P6SMB SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Features ● PPP 600W ● VRWM 5.8V- 513V SMBG ● Glass passivated chip Applications ● Clamping Voltage Marking Bi-directional ● P6SMB XXCA/XXA Uni-direction XX : From 6.8 To 600 Symbol Unit Conditions Peak pulse power dissipation PPPM W with a 10/1000us waveform 600 Peak pulse current (1) IPPM A with a 10/1000us waveform See Next Table PD W On infinite heat sink at TL=75℃ 5.0 IFSM A 8.3 ms single half sine-wave unidirectional only 100 TJ,TSTG ℃ Item Power dissipation Peak forward surge current(2) Operating junction and storage temperature range Max -55 to +150 Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） Item Symbol Unit Conditions Max Maximum instantaneous forward Voltage (3) VF V at 35A for unidirectional only 3.5/5.0 RθJL ℃/W junction to lead 20 RθJA ℃/W junction to ambient， LLead = 10 mm 100 Thermal resistance Notes: (1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA= 25℃per Fig.2. (2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal (3) VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на P6SMB100A 

Subject:

Дата модификации: 07.08.2019

Размер: 802.4 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)