MMDT2907A

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT2907A DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURE z Complementary NPN Type available MMDT2222A MARKING: K2F MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMDT2907A (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363
 
 — — — —
A+ LBTP560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ PZT2907A (JSCJ)
 

PZT2907A (ONS-FAIR) 		SOT-223 2500 шт
 
 — — —
A+ LMBTA56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 145 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ LMBTA55LT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ LBTP660Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT2907A DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURE z Complementary NPN Type available MMDT2222A MARKING: K2F MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -600 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= -10μA, IE=0 -60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -10mA, IB=0 -60 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-10μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-50V, IE=0 -10 nA Collector cut-off current ICEX VCE=-30V,VEB(off)=-0.5V -50 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=-5V, IC=0 -10 nA hFE(1) VCE=-10V, IC= -0.1mA 75 hFE(2) VCE=-10V, IC= -1mA 100 hFE(3) VCE=-10V, IC=-10mA 100 hFE(4) VCE=-10V, IC= -150mA 100 hFE(5) VCE=-10V, IC=-500mA 50 VCE(sat)1 IC=-150mA, IB=-15mA -0.4 V VCE(sat)2 IC=-500mA, IB=- 50mA -1.6 V VBE(sat)1 IC=-150mA, IB=-15mA -1.3 V VBE(sat)2 IC=-500mA, IB= -50mA -2.6 V DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 300 Transition frequency fT Output Capacitance Cob VCB=-10V, IE= 0,f=1MHz 8 pF Input Capacitance Cib VEB=-2V, IC= 0,f=1MHz 30 pF 10 ns 40 ns VCE=-20V, IC= -50mA,f=100MHz 200 MHz Delay time td Rise time tr Storage time ts VCC=-6V, IC=-150mA, 225 ns Fall time tf IB1= IB2= -15mA 60 ns www.jscj-elec.com VCC=-30V,IC=-150mA, IB1=-15mA 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMDT2907A 

Microsoft Word - MMDT2907A_SOT-363_.doc

Дата модификации: 30.06.2020

Размер: 1.39 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)