KTC4379

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors KTC4379 SOT-89-3L TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES z Low saturation voltage z High speed switching time z Complementary to KTA1666 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— 5 шт — — — — —
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ PBSS4350X (YJ)
 
SOT-89 1000 шт
 
 — — — —
A+ 2SC1766 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SC2655 (JSCJ)
 
TO-92L-3 TO-92MOD
 
 — — — —
A+ 2SC2655-TA (JSCJ)
 
TO-92L-3 TO-92MOD
 
 — — — —
A+ 2SC2873 (JSCJ)
 
— 15 шт
 
 — — — —
A+ 2SC2873 120-240 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —
A+ 2SC3303 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
 — — — —
A+ 2SC3303 TO-252-2L (JSCJ)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ 2SC4672 (JSCJ)
 
SOT-89 100 шт
 
 — — — —
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —
A+ MPS651 (JSCJ)
 

MPS651 (DIODES) 		TO-92-3 2000 шт — — — —
A+ MPS651-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ 2SD1802 (JSCJ)
 
— 2500 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1815 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1835 (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт — — — —
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
— 1 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1899 M100-200 (JSCJ)
 
TO-252-2L
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors KTC4379 SOT-89-3L TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES z Low saturation voltage z High speed switching time z Complementary to KTA1666 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 2 A PC Collector Power Dissipation 500 mW TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Test conditions Symbol Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=1mA, IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA, IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=1mA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=50V, IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V, IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE=2V, IC=500mA 70 hFE(2) VCE=2V, IC=1.5A 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=1A, IB=50mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=1A, IB=50mA 1.2 V 240 DC current gain fT Transition frequency Collector output capacitance Switching Time Cob Turn on Time ton Storage Time tstg Fall Time VCE=2V, IC=500mA 120 MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz 30 pF 0.1 VCC=30V, IC=1A, IB1=-IB2=-0.05A 1.0 μs 0.1 tf CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank Range Marking www.jscj-elec.com O Y 70-140 120-240 UO UY 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на KTC4379 

Microsoft Word - KTC4379_SOT-89_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 628.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)