2SC4672

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC4672 SOT-89-3L TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Low Saturation Voltage z Excellent hFE Characteristics z Complements the 2SA1797 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER CLASSIFICATION of hFE Rank Range Marking P Q R 82-180 120-270 180-390 DKP DKQ DKR DKP DKQ DKR DKP DKQ DKR MARKING Solid d...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SC3303 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
 — — — —
A+ 2SC3303 TO-252-2L (JSCJ)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —
A+ MPS651 (JSCJ)
 

MPS651 (DIODES) 		TO-92-3 2000 шт — — — —
A+ MPS651-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ 2SD1815 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1835 (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт — — — —
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
— 1 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1899 M100-200 (JSCJ)
 
TO-252-2L
 
 — — — —
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ LBSS4250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LBTN560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LBTN560Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ LBTN660Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ 2SC3647G-R-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SC3647G-S-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SC4672G-A-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SC4672G-B-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SC5569G-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — —
A+ 2SD1624G-T-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC4672 SOT-89-3L TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Low Saturation Voltage z Excellent hFE Characteristics z Complements the 2SA1797 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER CLASSIFICATION of hFE Rank Range Marking P Q R 82-180 120-270 180-390 DKP DKQ DKR DKP DKQ DKR DKP DKQ DKR MARKING Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 2 A PC Collector Power Dissipation 500 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W -55~+150 ℃ RθJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=50µA,IE=0 60 Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=50µA,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=60V,IE=0 0.1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 0.1 µA DC current gain hFE VCE=2V, IC=500mA Collector-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance www.jscj-elec.com VCE(sat) fT Cob V 82 390 0.35 IC=1A,IB=50mA V VCE=2V,IC=0.5A, f=100MHz 210 MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz 25 pF 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на 2SC4672 

2SC4672 SOT-89-3L V2.1

Дата модификации: 18.05.2021

Размер: 1.18 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)