FMMT591

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT591 SOT-23 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Low equivalent on-resistance 1. BASE 2. EMITTER Marking :591 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BCP56-16 100-250 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ BCP56-16 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — — — —
A+ BCX56-16 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ BCP56-16Q (YJ)
 
SOT-223 195 шт — — — —
A+ 2SD1616A (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1616A 200-400 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1616A TO-92 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ BCP55-16 (JSCJ)
 
— — — — —
A+ 2SD1898 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SD1898 SOT-89-3L (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ FMMT491 (JSCJ)
 

FMMT491 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
— 1 шт
 
 — — — —
A+ FMMT491 100-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2SD1899 M100-200 (JSCJ)
 
TO-252-2L
 
 — — — —
A+ FMMT491 SOT-23 100-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ FMMT493 (JSCJ)
 

FMMT493 (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT493 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1898 180-390 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT591 SOT-23 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Low equivalent on-resistance 1. BASE 2. EMITTER Marking :591 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V Collector Current -1 A ICM Peak Pulse Current -2 A PC Collector Power Dissipation 250 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 500 ℃/W -55～+150 ℃ IC RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-100μA, IE=0 -80 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO1 IC=-10mA, IB=0 -60 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-60V, IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=-4V, IC=0 -0.1 μA hFE(1) VCE=-5V, IC=-1mA 100 100 hFE(2) 1 VCE=-5V, IC=-500mA hFE(3) 1 VCE=-5V, IC=-1A 80 hFE(4) 1 VCE=-5V, IC=-2A 15 DC current gain Base-emitter saturation voltage VCE(sat)1 IC=-500mA, IB=-50mA -0.3 V VCE(sat)2 1 IC=-1A, IB=-100mA -0.6 V IC=-1A, IB=-100mA -1.2 V -1 V VBE(sat) 1 Base-emitter voltage VBE Transition frequency fT Collector output capacitance 300 1 Collector-emitter saturation voltage 1 Test conditions 1 Cob VCE=-5V, IC=-1A VCE=-10V,IC=-50mA,,f=100MHz VCB=-10V,f=1MHz 150 MHz 10 pF Measured under pulsed conditions, Pulse width=300μs, Duty cycle≤2%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на FMMT591 

Microsoft Word - FMMT591_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 821.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)