FMMT495

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT495 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURE  Low VCE(sat)  hFE characterised up to 1A for high current gain hold up  For general amplification 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: 495 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 170 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT495 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURE  Low VCE(sat)  hFE characterised up to 1A for high current gain hold up  For general amplification 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: 495 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 170 V VCEO Collector-Emitter Voltage 150 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 1 A PC Collector Power Dissipation 250 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Test Symbol V(BR)CBO * conditions Min Typ Max Unit IC=100µA, IE=0 170 V IC=10mA, IB=0 150 V 5 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100µA, IC=0 Collector cut-off current ICBO VCB=150V, IE=0 0.1 µA Collector cut-off current ICES VCE=150V,VBE=0 0.1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V, IC=0 0.1 µA DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter turn-on voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance hFE(1) * VCE=10V, IC=1mA 100 hFE(2) * VCE=10V, IC=250mA 100 hFE(3) * VCE=10V, IC=500mA 50 hFE(4) * VCE=10V, IC=1A 10 300 VCE(sat)(1) * IC=250mA, IB=25mA 0.2 V VCE(sat)(2) * IC=500mA, IB=50mA 0.3 V VBE(on) * VCE=10V, IC=500mA 1 V VBE(sat) * IC=500mA, IB=50mA 1 V fT Cob VCE=10V,IC=50mA,f=100MHz VCB=10V,IE=0,f=1MHz 100 MHz 10 pF *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на FMMT495 

Microsoft Word - FMMT495 SOT-23 A-1.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 426.1 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)