CJZM718
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
DFNWB3×2-8L-I Plastic-Encapsulate Transistors-MOSFETS
CJZM718
N-ch MOSFET and PNP Transistor
V(BR)DSS/BVCEO
ID/IC
RDS(on)MAX
DFNWB3×2-8L-I
8
0.7Ω@4.5V
20V
7
0.5A
0.85Ω@2.5V
-25V
1
2
D
3
-3A
/
FEATURE
C
6
5
4
APPLICATION
Charging circuit
High DC current gain
Low Threshold
Small package DFNWB3x2-8L-I
Including a CJP...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFNWB3×2-8L-
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | DFNWB3×2-8L- | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Примечание | N-ch MOSFET and PNP Transistor | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | JMTL3134K (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | YJL1012E (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJL3134K (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | CJ1012 C (JSCJ) | SOT-523 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJZM718
Microsoft Word - CJZM718 DFNWB3×2-8L-G A-1 .doc
Дата модификации: 28.06.2020
Размер: 5.57 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.