CJ1012 C
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJ1012 N-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
SOT-523
700mΩ@4.5V
20 V
3
500mA
850mΩ@2.5V
1. GATE
General Description
This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced
Power Trench process to optimize the RDS(ON).
2. SOURCE
3. DRAIN
1
2
FEATURE
High-Side Switching
Low On-Res...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-523
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-523 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | JMTL3134K (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | YJL1012E (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | LNTS4409NWT1G (LRC) | SOT-323-3 SC70 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJZM718 (JSCJ) | DFNWB3×2-8L- | N-ch MOSFET and PNP Transistor | — | |||||||||||||
A+ | YJL3134K (YJ) | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJ1012
Microsoft Word - CJ1012_SOT-523_.doc
Дата модификации: 10.07.2020
Размер: 546.8 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.