CJQ4503

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD    ! "#  CJQ4503 N-and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOP8 28mΩ@10V 30 V 6.9A 42mΩ@4.5V 36mΩ@-10V -30 V -6.3A 55mΩ@-4.5V DESCRIPTION Advance Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, low on-resistance and cost ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJDE8404

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS4606B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS08DH04T1 (WAYON)
 
SOP8L 10 шт
 
 — — — — — —
A+ CJQ4614 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD    ! "#  CJQ4503 N-and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOP8 28mΩ@10V 30 V 6.9A 42mΩ@4.5V 36mΩ@-10V -30 V -6.3A 55mΩ@-4.5V DESCRIPTION Advance Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, low on-resistance and cost -effectiveness. The SOP8 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. MARKING: Equivalent Circuit D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 Q4503= Device code Q4503 YY YY=Date Code Solid dot = Pin1 indicator Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Sy mbol N-Channel P-Channel Drain-Source Voltage VDS 30 -30 Gate-Source Voltage VGS ±20 ±20 6.9 -6.3 5.5 -5 20 -20 Continuous Drain Current a Ta=25℃ Ta=70℃ Pulsed Drain Current b Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient ID IDM Unit V A PD 1.4 W RθJA 89 ℃/W Operating Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature TSTG -55 ~+150 ℃ Notes : a. These tests are performed with infinite heat sink. b.Pulse width by Max.junction temperature. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJQ4503 

Microsoft Word - NCE4503_SOP8_.doc

Дата модификации: 22.08.2020

Размер: 7.04 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)