WMS08DH04T1

WMS08DH04T1 40V N+P Dual Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D1 WMS08DH04T1 uses advanced power trench technology that has been D2 especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain S1 superior switching performance. G1 S2 Features   D2 G2 SOP-8L N - Channel: VDS= 40V, ID = 7.5A RDS(on) < 24mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 31mΩ @ VGS = 4.5V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WM03DH60A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
P- CJQ6601 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
P- IRF7309TR (YOUTAI)
 

IRF7309TR (INFIN)
10 шт
 
P- NCE4503S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
P- NCE30NP07S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
P- NCE4606 (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
P- YJS4606B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- IRF7319TR (YOUTAI)
 

IRF7319TR (INFIN)
1 шт
 
P- CRMM4606 (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
P- JMTP240C03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- IRF7105TR (YOUTAI)
 

IRF7105TR (INFIN)
SO-8 SOIC8 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.