05 мая 2023
новость
CJCD2003
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
DFNWB2×3-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJCD2003
DFNWB2×3-6L
Dual N-Channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)TYP
6.2 mΩ@4.5V
6.4 mΩ@4.0V
18V
12A
6.8 mΩ@ 3.8V
7.2 mΩ@3.1V
8.2 mΩ@2.5V
DESCRIPTION
The CJCD2003 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is
suitable for use as...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | CJAE2002 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJ6617SP (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | LDN8002DT1AG (LRC) | DFN30308D |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернуть Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.