CJ2309A
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJ2309A
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
190mΩ@-10V
-60V
SOT-23
-1.6A
1. GATE
240mΩ@-4.5V
2. SOURCE
3. DRAIN
DESCRIPTION
The CJ2309A uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(on).This device is suitable for use as a uni-directional
or bi-direct...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 5 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-23-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJ2309 (JSCJ) | SOT-23-3 | 1 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJ2309A
Microsoft Word - CJ3420 _SOT-23_.doc
Дата модификации: 18.10.2021
Размер: 2.57 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.