CJ2309
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJ2309
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
190mΩ@-10V
-60V
-2A
240mΩ@-4.5V
SOT-23
1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
DESCRIPTION
The CJ2309 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(on).This device is suitable for use as a uni-directional
or bi-directiona...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 1 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-23-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | NCE2309 (NCE) | SOT-23-3 | 1500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P= | BSS84KJ (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJ2309
Microsoft Word - CJ3420 _SOT-23_.doc
Дата модификации: 28.04.2020
Размер: 714.2 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.