LBTN560Y3T1G

LBTN560Y3T1G S-LBTN560Y3T1G NPN transistor 1 2 1. FEATURES 3 ● Low collector-emitter saturation voltage. ● High collector current capability. ● High collector current gain. ● High efficiency due to less heat generation. ● Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area. ● We declare that the material of product compliance with SOT89 2 RoHS requirements and Halogen Free. ● 1...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ 2SD1816L-R-TN3-R (UTC)
 
A+ 2SD1816L-S-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
A+ 2SD1816L-S-TN3-R (UTC)
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.