JMTP260N03D

JIEJIE
JMTP260N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features     Applications  Load Switch 30V, 8A RDS(ON) < 23mΩ @ VGS = 10V  PWM Application RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 4.5V  Power Management RDS(ON) < 31mΩ @ VGS = 2.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Lead Free D1 G1 D2 G2 S1 Sc...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF7313TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRF7313TRPBF (VBSEMI) 		SO-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRF7313TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7313TRPBF (INFIN) 		— в ленте 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRF7313TR (VBSEMI)
 

IRF7313TR (INFIN) 		— 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7303TR (YOUTAI)
 

IRF7303TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7313TR (YOUTAI)
 

IRF7313TR (INFIN) 		— 25 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE30ND07BS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — — — — — — —
P- WM03DN85A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WMS14DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- YJS3404A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ JMTP240N03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
A+ JMTP3010D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP260N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features     Applications  Load Switch 30V, 8A RDS(ON) < 23mΩ @ VGS = 10V  PWM Application RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 4.5V  Power Management RDS(ON) < 31mΩ @ VGS = 2.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Lead Free D1 G1 D2 G2 S1 Schematic Diagram Marking and Pin Assignment SOP-8 (Dual) S2 Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package 260N03D JMTP260N03D TAPING SOP-8 Reel Size Reel(pcs) 13" 4000 Per Carton (pcs) 48000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-to-Source Voltage 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ±12 V ID IDM EAS PD RθJA TJ, TSTG Continuous Drain Current TA = 25°C 8 TA = 100°C 5 Pulsed Drain Current (1) Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation (2) TA = 25°C (3) Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction & Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co., Ltd 1 A 32 A 16 mJ 1.8 W 70 °C/W -55 to 150 °C Version：1.1 PDF
Документация на JMTP260N03D 

Дата модификации: 24.04.2023

Размер: 686.4 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)