17 мая 2024
новость
JMTG100N06A
JMTG100N06A
Description
JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Features
Application
60V, 55A
RDS(ON) <9.4mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) <13mΩ @ VGS = 4.5V
Load Switch
PWM Application
Power Management
Advanced Trench Technology
Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead Free
PDFN5x6-8L
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
Marking and pin Assignment
Schematic Diagr...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 2500 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJD80G06C (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | JMTK110N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | YJG60G06A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMO100N07T1 (WAYON) | TO252 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMM90N08TS (WAYON) | TO263 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJD80G06A (YJ) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | ||
| A+ | YJQ62G06A (YJ) | — | в ленте 10 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG85G06AK (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJG80G06A (YJ) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG70G06A (YJ) | — | 20 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCE6080A (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJD90N06A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | WMK100N07TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | JMTG060N06A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMB060N08LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ060N08LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ060N06LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO80N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO060N06LG2 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK80N06T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJQ70G06A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG95G06A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG80G06B (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMK060N08HG2 (WAYON) | TO-220-3 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMTG100N06A
Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:
Дата модификации: 14.10.2022
Размер: 371 Кб
6 стр.
Публикации 1
показать свернуть Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.