Вход / Регистрация

JMSL0315AU-13

JIEJIE
JMSL0315AU 30V 7.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter • Ultra-low RDS(ON) • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Value Unit VDS 30 V VGS(th)_Typ 1.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 43 A 7.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.6 m Applications • Power Mgmt. in Computing, CE, Digital Lifest...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L3X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — —
A+ YJD80N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ YJD50N03A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ YJQ50N03B (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJG60G04HHQ (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 30 шт
 
 — — — —
A+ YJG50N03B (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJG50N03A (YJ)
 
PDFN8L5X6
 
 Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ IRLR8726 (EVVO)
 
TO252 в ленте 2500 шт — — — — —
A+ BSC034N03LSG (EVVO)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ JMTQ3005A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ YJG40N03A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ WMB042DN03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB70N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB040N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMQ40N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMQ023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO80N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO75N04T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK75N03T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ YJQ50N03A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ YJD80N03B (YJ)
 
TO252 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —

Файлы 1

показать свернуть
JMSL0315AU 30V 7.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter • Ultra-low RDS(ON) • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Value Unit VDS 30 V VGS(th)_Typ 1.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 43 A 7.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.6 m Applications • Power Mgmt. in Computing, CE, Digital Lifestyle, IE 4.0, Communications • Current Switching in DC/DC (H-bridge, Buck/Boost) & AC/DC (Inverting, SR) • Load Switching over VBUS in Fast Charger, Half-bridging in Wireless Charger • Motor Driving in Home Appliance, Robotics, Ventilation PDFN3x3-8L Top View Pin Configuration Bottom View Top View D 1 8 2 7 3 6 4 5 G S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSL0315AU-13 PDFN3x3-8L 8 SL0315A 1 -55 to 150 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 30 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current (1) TC = 25°C 43 ID TC = 100°C (2) A 27 IDM 156 Avalanche Current (3) IAS 13 A Avalanche Energy (3) EAS 8.5 mJ Pulsed Drain Current Power Dissipation (4) TC = 25°C 26 PD TC = 100°C -55 to 150 RDS(ON) vs. VGS °C Gate Charge 50 10 ID = 15A VDS = 15V 40 8 30 6 VGS (V) RDS(ON) (m) W 10 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 20 ID = 15A 4 2 10 0 0 0 5 10 15 20 0 2 VGS (V) Rev. 2.3 4 6 8 Qg (nC) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSL0315AU-13 

JMSL0315AU_Rev2.3.xlsx

Дата модификации: 27.12.2022

Размер: 303.1 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 июня 2024
    новость

    Продукция JIEJIE для устройств быстрой зарядки

    Зарядные устройства (ЗУ) выходной мощностью 18…100 Вт (а также 120 Вт и выше) с одним или несколькими выходами USB Type–A и Type–C, имеющие поддержку протоколов быстрой зарядки (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083–2022,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)