JMSH1001ATL-13

JMSH1001ATL 100V 1.3m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Parameter Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Value Unit VDS 100 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 411 A 1.3 m Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Auto...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH1001ATLQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JMSH1001ATL 100V 1.3m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Parameter Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Value Unit VDS 100 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 411 A 1.3 m Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE • Current/Voltage Switching in DC/DC & AC/DC Sub-systems • Motor Driving or BMS in Power Tool, E-vehicle, Robotics PowerJE®10x12 Top View PowerJE®10x12 Bottom Drain Tab D Gate Pin 1 S Pin 1 Source G Pin 1 Ordering Information Pins 2‐8 Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSH1001ATL-13 PowerJE®10x12 (1) 8 SH1001A 1 -55 to 175 13-inch Reel 2000 Note 1: PowerJE® is a registered trademark of JieJie Micro., its package outline is compatible to that of TO-LeadLess (TOLL). Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 100 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Parameter TC = 25°C Continuous Drain Current (2) 411 ID TC = 100°C A 290 Pulsed Drain Current (3) IDM 1343 Avalanche Current (4) IAS 50 A Avalanche Energy (4) EAS 1250 mJ TC = 25°C Power Dissipation (5) 500 PD TC = 100°C -55 to 175 RDS(ON) vs. VGS °C Gate Charge 10 8 VDS = 50V ID = 20A 8 VGS (V) 6 RDS(ON) (m) W 250 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 4 2 ID = 20A 6 4 2 0 0 0 5 10 15 20 0 40 80 VGS (V) Rev. 2.3 120 160 200 Qg (nC) Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSH1001ATL-13 

JMSH1001ATL_Rev2.3.xlsx

Дата модификации: 09.01.2023

Размер: 325.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.