JMSH1001ATL-13
JMSH1001ATL
100V 1.3m TOLL N-Ch Power MOSFET
Product Summary
Features
•
Parameter
Ultra-low RDS(ON)
•
Low Gate Charge
•
100% UIS Tested, 100% Rg Tested
•
Pb-free Lead Plating
•
Halogen-free and RoHS-compliant
Value
Unit
VDS
100
V
VGS(th)_Typ
2.8
V
ID (@ VGS = 10V) (1)
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)
411
A
1.3
m
Applications
•
Power Managerment in Telecom., Industrial Auto...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 2000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | JMSH1001ATLQ-13 (JIEJIE) | — | 2000 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMSH1001ATL-13
JMSH1001ATL_Rev2.3.xlsx
Дата модификации: 09.01.2023
Размер: 325.5 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.