JMSH1001ATLQ-13
JMSH1001ATLQ
100V 1.3m TOLL N-Ch Power MOSFET
Product Summary
Features
Parameter
• Ultra‐low ON-resistance, RDS(ON)
• Low Gate Charge, Qg
• 100% UIS and Rg Tested
• Pb-free Lead Plating
Value
Unit
VDS
100
V
VGS(th)_Typ
2.8
V
ID (@ VGS = 10V) (2)
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)
479
A
1.3
m
• Halogen-free and RoHS-compliant
• AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications
PowerJE®1...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 2000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMSH1001ATLQ-13
JMSH1001ATLQ_Rev1.1.xlsx
Дата модификации: 14.03.2023
Размер: 381 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.