G5S12010A
Диод выпрямительный 1 на напряжение до 1200 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.7 В, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Выпрямительные диоды
- Корпус: TO220AC
- Норма упаковки: 400 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO220AC | |
---|---|---|
Схема включения диодов | ||
Максимальное обратное напряжение диода | ||
Прямой ток диода (средний) | ||
Прямое падение напряжения | ||
Обратный ток диода | ||
Рабочая температура | ||
Монтаж |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Сборка | Uобр | Iпрям | Uпрям | Особенности | Iобр | t ов | Сперех | T раб | Монтаж | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | WSRSIC010120NNI (WAYON) | TO220AC | в линейках 50 шт | — | — | — | — | |||||||||
P= | YJD112010PG1 (YJ) | TO220AC | — | Silicon Carbide Schottky Diode | ||||||||||||
A- | G5S12015A (GPT) | TO220AC | в линейках 10 шт |
| — | — | — | |||||||||
A- | G5S12020A (GPT) | TO220AC | в линейках 100 шт |
| — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на G5S12010A
1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:
Дата модификации: 14.09.2020
Размер: 645.7 Кб
5 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.