IRFL4105

EVVO
IRFL4105 60V N-Channel General Description These logic level N-Channel enhancement This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversio...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJJ05N06A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJL05N06AL (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ JMTY2310A (JIEJIE)
 
SOT2233L 4000 шт
 
 — — — —
A+ CJU07N06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ CJU4828 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 5 шт — —
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —
A+ FDN5630 (YOUTAI)
 

FDN5630 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ WMT07N06TS (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 3000 шт — — —
A+ WMS08N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMR07N06TS (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRFL4105 60V N-Channel General Description These logic level N-Channel enhancement This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low inline power loss, and resistance to transients are needed. Features VDS (V) = 60V RDS(ON) 100m RDS(ON) 50m (V (V = 10V) GS GS = 4.5V) Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers. VGS(TH) < 2V. High density cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handling capability in a widely used surface mount package. Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless otherwise noted Symbol Parameter IRFL4105 Units VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage - Continuous ±20 V ID Maximum Drain Current - Continuous 4 A (Note 1a) - Pulsed PD 25 Maximum Power Dissipation 3 (Note 1a) (Note 1b) (Note 1c) TJ,TSTG W 1.3 1.1 Operating and Storage Temperature Range -65 to 150 °C THERMAL CHARACTERISTICS RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 42 °C/W RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 12 °C/W * Order option J23Z for cropped center drain lead. Rev:2023A2 1 PDF
Документация на IRFL4105 

UMW NDT3055L Keywords:

Дата модификации: 03.07.2024

Размер: 581.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)