ER3D

DC Components
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 3 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 60 пФ, производства DC Components (DC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS320Q (YJ)
 
DO214AB
 
 —
A- MURS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
A- SS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ES3D SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 —
A- HS5D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ES5D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ES3D (YJ)
 

ES3D (ONS-FAIR) 		DO214AB в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
A- ES3D (TSC)
 

ES3D (ONS-FAIR) 		DO214AB — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS520 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
ER3A THRU ER3J DC COMPONENTS CO., LTD. R RECTIFIER SPECIALISTS TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 3.0 Ampere FEATURES * ldeal for surface mounted applications * Low leakage current * Glass passivated junction SMC(DO-214AB) MECHANICAL DATA .245(6.2) .220(5.6) .128(3.3) .108(2.8) * Case: Molded plastic * Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant *Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 * Polarity: As marked * Mounting position: Any * Weight: 0.24 gram .280(7.1) .260(6.6) .012(0.3) .006(0.2) .103(2.6) .079(2.0) .060(1.5) .030(0.8) .008(0.2) .002(0.5) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS .220(8.1) .305(7.8) Ratings at 25 o C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Dimensions in inches and (millimeters) SYMBOL ER3A ER3B ER3C ER3D ER3E ER3G ER3J UNITS Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 50 100 150 200 300 400 600 Volts Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 105 140 210 280 420 Volts VDC 50 100 150 200 300 400 600 Volts Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current at T A = 55o C Peak Forward Surge Current I FM(surge): 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) Maximum Forward Voltage at 3.0A DC Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage IO 3.0 Amps I FSM 100 Amps VF @T A = 25 o C @T A = 100 o C Maximum Reverse Recovery Time (Note 1) Typical Junction Capacitance (Note 2) Operating and Storage Temperature Range IR 0.95 1.25 5.0 200 trr 35 CJ T J , T STG 60 -65 to +175 1.7 Volts µAmps nSec pF 0 C NOTES : 1. Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A. 2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volrs. REV-1,Apr/25/2013 PDF
Документация на ER3J 

Дата модификации: 09.08.2013

Размер: 47.2 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N4001 T/B (DC)