CS15N04AEP-G

CR Micro
Silicon N-Channel Trench MOSFET R ○ CS15N04 AEP-G General Description： CS15N04 AEP-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology which reduce the conduction loss, improve switching VDSS 40 V ID 15 A P D(T C=25℃) 3.1 W 8 mΩ R DS(ON)Typ （10V） performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swit...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ NCE4015S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ JMTQ100N04A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJAB25N04S (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB25N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ YJQ20N04A (YJ)
 
—
 
 —
A+ YJG18N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Trench MOSFET R ○ CS15N04 AEP-G General Description： CS15N04 AEP-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology which reduce the conduction loss, improve switching VDSS 40 V ID 15 A P D(T C=25℃) 3.1 W 8 mΩ R DS(ON)Typ （10V） performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is SOP-8, which accords with the RoHS standard. CS15N04AEP-G is halogen free. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance (Rdson≤13mΩ) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:115pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test l Halogen free Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（TA= 25℃ unless otherwise specified ）： Symbol Parameter VDSS ID IDM a1 VGS EAS a2 PD TJ ，T stg Rating Units Drain-to-Source Voltage 40 V Continuous Drain Current 15 A Continuous Drain Current T A = 100 °C 9 A Pulsed Drain Current 60 A Gate-to-Source Voltage ±20 V Single Pulse Avalanche Energy 190 mJ Power Dissipation 3.1 W 0.025 W/°C –55 to 150 °C Derating Factor above 25°C Operating Junction and Storage Temperature Range WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 1 of 5 2 0 1 9 V0 1 PDF
Документация на CS15N04AEP-G 

CS15N04%20AEP-G[1].doc

Дата модификации: 28.04.2019

Размер: 454.4 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)