NCE4015S

NCE
NCE4015S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4015S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram ● VDS =40V,ID =15A RDS(ON) <8.2mΩ @ VGS=10V (Typ. 6.1 mΩ) RDS(ON) <25mΩ @ VGS=4.5V (Typ. 11.4 mΩ) ● High d...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ JMTQ100N04A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJAB25N04S (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB25N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE4015S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4015S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram ● VDS =40V,ID =15A RDS(ON) <8.2mΩ @ VGS=10V (Typ. 6.1 mΩ) RDS(ON) <25mΩ @ VGS=4.5V (Typ. 11.4 mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Marking and pin Assignment Application ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE4015S NCE4015S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 15 A ID (100℃) 10.6 A Pulsed Drain Current IDM 70 A Maximum Power Dissipation PD 3.1 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 40 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v2.1 PDF
Документация на NCE4015S 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 14.04.2023

Размер: 613.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)