CRTJB350P03L2-G

CRTJB350P03L2-G Trench P-MOSFET -30V, 26mΩ, -6A Features Product Summary • Uses CRM advanced Trench technology VDS -30V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 26mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -6A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Electrical tools • Lithium battery protecti...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= SI2343CDS-T1-GE3 (VBSEMI)
 
в ленте 3000 шт
 
P- CJ3407 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
±
P- WM03P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- NCE2303 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- IRLML9301TR (YOUTAI)
 

IRLML9301TRPBF (YOUTAI)
1 шт
 
P- JMTL3407A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.