CJ3407

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3407 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor V(BR)DSS SOT-23 ID RDS(on)MAX 60mΩ@-10V -30 V -4.1A 87mΩ@-4.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN General Description The CJ3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use as a loa...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WM04P50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM03P27M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= CJ2303 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
P= CRTJ650P03L2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= YJL3407C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= NCE3407 (NCE)
 
SOT-23-3
 
±
P= CJ2307 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= IRLML5203TRPBF (VBSEMI)
 

IRLML5203TRPBF (INFIN)
в ленте 3000 шт
 
P= YJL02P03A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= IRLML5103TR (YOUTAI)
 

IRLML5103TR (INFIN)
SOT-23-3
 
P- JMTL3407A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML9301TR (YOUTAI)
 

IRLML9301TRPBF (YOUTAI)
1 шт
 
P- NCE2303 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- WM03P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.