CRG60T60AK3SD

CR Micro
Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AK3SD General Description ： VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching Ptot （TC=25℃） 403 W performances. RoHS Compliant. VCE(sat) 1.72 V TO-247 Features： ● FS Trench Technology, Positive temperature coefficient ● Low saturation voltage： VCE(s...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= NCE80TD60BT (NCE)
 
TO-247-3 22 шт
P= NCE60TD60BT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 12 шт
P= DGW75N65CTS2A (YJ)
 
TO-247-3
 
P= DGW75N65CTL1 (YJ)
 
— 12 шт
P= CRG75T60AK3HD (CRMICRO)
 
TO-247-3
 
P= DG75H12T2 (STARPWR)
 
TO247MAX
 
P= DG75X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AK3SD General Description ： VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching Ptot （TC=25℃） 403 W performances. RoHS Compliant. VCE(sat) 1.72 V TO-247 Features： ● FS Trench Technology, Positive temperature coefficient ● Low saturation voltage： VCE(sat),TYP=1.72V @IC=60A,VGE=15V； Applications ● Welding ● Frequency Converter ● UPS Package Parameters Type Marking Package Packing CRG60T60AK3SD G60T60AK3SD TO-247 Tube W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Page 1 of9 2 0 2 2 V0 1 PDF
Документация на CRG60T60AK3SD 

产品特点：

Дата модификации: 15.02.2022

Размер: 1.25 Мб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.