DG75H12T2
DG75H12T2
IGBT Discrete
DOSEMI
IGBT
DG75H12T2
1200V/75A IGBT with Diode
General Description
DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra
low conduction loss as well as low switching loss.
They are designed for the applications such as
general inverters and UPS.
Features
Low VCE(sat) Trench IGBT technology
Low switching loss
Maximum junction temperature 175oC
VCE(sat) with positive...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: TO247MAX
Аналоги 5
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | CGWT80N65F2KAD (JSCJ) | TO-247-3 | 30 шт | ||
P= | NCE80TD60BT (NCE) | TO-247-3 | 22 шт |
| |
P= | NCE60TD60BT (NCE) | TO-247-3 | в линейках 12 шт |
| |
P= | CRG75T60AK3HD (CRMICRO) | TO-247-3 | |||
P= | DG75X12T2 (STARPWR) | TO-247-3 | 1 шт |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.