BL3N100E-U
- Группа: FET транзисторы
- Серия: BL3N100E
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Примечание | N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-251, 1000 V, 2,5 A, 6,2 Ohm | |
| Ёмкость затвора |  | |
| Особенности: Fast Switching, Low Crss, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, Zener - Protected, RoHS product, High frequency switching mode power supply | ||
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | CS3N120FA9R (CRMICRO) | TO220F | в линейках 1000 шт |
|  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | 4N120L-TA3-T (UTC) | — |  |  |  | — |  |  |  |  |  | — |  | — |
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.