Pai8211A-SR

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3.75kVrms/5.0kVrms 隔离电压 单通道栅极驱动器 产品手册 Pai8211x 特性 Pai8211x 的输出侧 VCC2 供电范围从 9.5V 到 33V，适合驱 动 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率开关。集成的 UVLO 保护确 功能选项 ➢ 分离输出 Pai8211A 保在异常情况下输出保持在低电平。输入侧供电电压 VCC1 在 ➢ 米勒钳位 Pai8211C 2.5V 到 5.5V 之间工作，支持大多数数字控制器工作电压。 输出峰值源电流 6A 和峰值灌电流 6A 同光耦相比，Pai...
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Технические характеристики

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Корпус SO-8 SOIC8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Напряжение изоляции
Опции
Рабочая температура
Примечание Isolated Single Channel Gate Driver
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Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
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F~ NSI6601B-DSPR (NOVOSENS)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 5 шт — — Isolated Single-channel Driver —

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3.75kVrms/5.0kVrms 隔离电压 单通道栅极驱动器 产品手册 Pai8211x 特性 Pai8211x 的输出侧 VCC2 供电范围从 9.5V 到 33V，适合驱 动 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率开关。集成的 UVLO 保护确 功能选项 ➢ 分离输出 Pai8211A 保在异常情况下输出保持在低电平。输入侧供电电压 VCC1 在 ➢ 米勒钳位 Pai8211C 2.5V 到 5.5V 之间工作，支持大多数数字控制器工作电压。 输出峰值源电流 6A 和峰值灌电流 6A 同光耦相比，Pai8211x 具有更低的传输延迟、更低的通 VCC1 工作电压范围 2.5V 至 5.5V 道间传播延迟差异、更高的工作温度和更高的 CMTI，用来 VCC2 工作电压范围高达 33V 驱动 MOSFET/IGBT 更有优势。 欠压选项有 8V 和 12V 型号信息列表 隔离电压：交流有效值 3.75kV/5.0kV CMTI 大于 100kV/µs 型号系列 欠压开启阈值 管脚配置 传输延时典型值 51ns Pai8211A 8V 分离输出 信号输入类型为 CMOS Pai8211C 12V 米勒钳位 应用 VCC1 1 IN+ 2 IN- 3 GND1 4 SiO2 Isolation Barrier 功能框图 UVLO Gate Drive ULVO and Output control ULVO and Enable SiO2 Isolation Barrier 安规认证： UL 认证编号：UL-US-L494497-11-52017102-10 符合 UL1577 标准 3.75kVrms/5.0kVrms 隔离电压 VDE 认证编号：40052896 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17):2021-10，最大 重复峰值隔离电压 1200V CQC 认证编号：CQC23001376070 符合 GB 4943.1-2022 的 CQC 认证 AEC-Q100 认证 宽温度工作范围: -40℃～125℃ 符合 RoHS 要求的窄体和宽体 8 引脚 SOIC 封装 开关电源 5 VCC2 6 OUTH 7 OUTL 8 VEE2 5 VCC2 6 OUT 7 CLAMP 图 1. Pai8211A 功能框图 VCC1 1 IN+ 2 IN- 3 电机控制器 UPS 和 PSU 概述 Pai8211x 是荣湃单通道隔离栅极驱动器系列产品，提供 型。Pai8211A 可单独控制输出信号的上升和下降时间，方便 GND1 ULVO and Output control ULVO and Enable 符合 UL1577 标准的隔离电压 3.75kVrms 和 5.0kVrms 两种类 4 UVLO Gate Drive SiO2 Isolation Barrier 太阳能逆变器 SiO2 Isolation Barrier EV/HEV 逆变器和 DC/DC 变换器 灵活解决 EMI 问题。Pai8211C 提供内部有源钳位保护功能， 钳位管脚连接输出端口驱动的晶体管的栅极，以防止由米勒 图 2. Pai8211C 功能框图 电流引起的误导通。 版本 1.1 荣湃半导体提供的信息被认为是准确和可靠的。但荣湃半导体对使用它或因使用它可能导致的任何专 利侵权或第三方其他权利不承担任何责任。规格如有更改，恕不另行通知。荣湃半导体的任何专利或 专利权均不以暗示或其他方式授予任何许可。 商标和注册商标是其各自所有者的财产。 上海市浦东新区博霞路 22 号 307-309 室，201203 021-50850681 荣湃半导体(上海)有限公司，版权所有。 http://www.rpsemi.com/ Ref 8 VEE2 PDF
Документация на Pai8211A-SR 

Дата модификации: 22.02.2023

Размер: 1.7 Мб

16 стр.

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    MS4931 (RUIMENG)