YJG95G06B

SUNCOYJ
RoHS YJG95G06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 95A ＜2.9 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт — —
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
— в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ NCE60H15A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
A+ NCE60H10K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
A+ NCE60H10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
A+ JMTK060N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ SVT078R0ND (YOUTAI)
 
TO-252-3 DPAK в ленте 1000 шт ± — — —
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK90N08TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ YJD90N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ WMK030N06LG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK040N08HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB060N08LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB034N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO030N06LG4 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO030N06HG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMM040N08HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM030N06HG4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ NCE8295A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG95G06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 95A ＜2.9 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Synchronous-rectification applications ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V ID 155 A Drain Current （Silicon limited） TA=25℃ 20 TA=100℃ Drain Current Unit 12 A ID A TC=25℃ 95 TC=100℃ 60 Pulsed Drain Current B IDM 390 A Avalanche energy C EAS 800 mJ Total Power Dissipation D PD 120 W Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 1.04 Thermal Resistance Junction-to-Ambient E RθJA 20 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃/ W ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG95G06B F1 YJG95G06B 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E416 Rev.3.2,7-May-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG95G06B 

Дата модификации: 07.05.2022

Размер: 901.5 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    25 января 2024
    новость

    SUNCOYJ представляет новые MOSFET семейства N60V

    Компания SUNCOYJ продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)