JMTK060N06A

JIEJIE
JMTK060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  60V, 120A RDS(ON) <5.9mΩ @ VGS = 10V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Trench Technology  Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired TO-252-4R top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagra...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMO030N06LG4 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
 — — —
P- WMO80N06TS (WAYON)
 
— в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE60H10K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт — —
A+ YJB200G06C (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —
A+ JMSH0601AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ BLM04N06-B (CN BELL)
 
—
 
 N-Channel Trench MOSFET, TO-263, 60 V, 150 A, 0,0035 Ohm Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply
A+ CJAC13TH06 (JSCJ)
 
— в ленте 20 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJAC130SN06L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ YJB200G06A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 — —
A+ YJP200G06A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
 — —
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK040N08HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK030N06LG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB034N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO030N06HG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMM040N08HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM030N06HG4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM025N06HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт — — —
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
— в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ WMK025N06LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ JMSH0804NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTK060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  60V, 120A RDS(ON) <5.9mΩ @ VGS = 10V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Trench Technology  Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired TO-252-4R top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) JMTK060N06A JMTK060N06A TAPING TO-252-4R 13inch 2500 25000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage ±25 V TC = 25℃ 120 A TC = 100℃ 78 A 480 A 225 mJ 181 W 0.83 ℃/W -55 to +175 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current EAS PD RθJC TJ, TSTG note1 Single Pulsed Avalanche Energy note2 Power Dissipation TC = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.0 -1- PDF
Документация на JMTK060N06A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 20.04.2021

Размер: 319.5 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)