YJD112015NGG2

SUNCOYJ
RoHS YJD112015NGG2 COMPLIANT Silicon Carbide Schottky Diode VRRM 1200V IF（135°C） 33A QC 114nC Features ● Positive temperature coefficient ● Temperature-independent switching ● Maximum working temperature at 175 °C ● Unipolar devices and zero reverse recovery current ● Zero forward recovery current ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● High-frequen...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 3  шт.

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WSRSIC020120NP8 (WAYON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
P= G5S12020BM (GPT)
 
TO2473 в линейках 500 шт

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD112015NGG2 COMPLIANT Silicon Carbide Schottky Diode VRRM 1200V IF（135°C） 33A QC 114nC Features ● Positive temperature coefficient ● Temperature-independent switching ● Maximum working temperature at 175 °C ● Unipolar devices and zero reverse recovery current ● Zero forward recovery current ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● High-frequency operation ● Reduction of EMI Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO-247AC ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT Device marking code VALUE D112015NGG2 Reverse voltage (repetitive peak) @ Tj=25°C VRRM V 1200 Reverse voltage (Surge Peak) @ Tj=25°C VRSM V 1200 VDC V 1200 IF A 70 33 15 IFSM A 144 Power Dissipation@ Tc=25°C Tc=110°C PTOT W 319 138 i2t Value@ Tc=25°C ,tp=10ms ∫i2dt A2 S 103 Operating junction and Storage temperature range Tj ,Tstg °C -55 to +175 Reverse voltage (DC) @ Tj=25°C Continuous forward current @ Tc=25°C Tc=135°C Tc=160°C Non-repetitive peak forward surge current @ Tc=25°C, tp=10ms, Half Sine Wave 1/5 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD112015NGG2 

MUR1060规格书 Keywords:

Дата модификации: 15.03.2024

Размер: 1.64 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    24 апреля
    новость

    Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Российский рынок электроники находится на пороге бума зарядных станций. Для успешного их проектирования необходимо хорошо понимать все нюансы отечественной электротранспортной промышленности, а также иметь инструменты для... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.