WSRSIC010065NPO

Document: W16010060 Rev: A WSRSIC010065NPO SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE Features  10A Silicon Carbide Schottky Diode  Excellent high temperature stability  Low forward voltage  High forward surge capability  150℃ Operating Junction Temperature  Reduced temperature dependence Mechanical Data  Case: TO-252-2L Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃ Unless otherwise specified) ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус:
  • Норма упаковки: 2500  шт.

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= G3S06510C (GPT)
 
TO252 в ленте 100 шт

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
24 апреля
новость

Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Российский рынок электроники находится на пороге бума зарядных станций. Для успешного их проектирования необходимо хорошо понимать все нюансы отечественной электротранспортной промышленности, а также иметь инструменты для... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.