NCEP080N10

NCEP080N10 NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rect...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMB129N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
A+ CJAC90SN12 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC80SN10H (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC80SN10 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110SN10L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110SN10H (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110SN10A (JSCJ)
 
в ленте 32 шт
 
±
A+ CJU80SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ CJPF130SN10 (JSCJ)
 
TO220F
 
±
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB043N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMB072N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJG90G10A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK043N10LGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ CJB120SN10 (JSCJ)
 
TO2632L
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP080N10 NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and General Features ● VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! synchronous rectification TO-220 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP080N10 NCEP080N10 TO-220 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 75 A ID (100℃) 58 A Pulsed Drain Current IDM 300 A Maximum Power Dissipation PD 120 W 0.8 W/℃ EAS 420 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 1.25 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 4) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V2.0 PDF
Документация на NCEP080N10 

Microsoft Word - NCEP080N10D data sheet.doc

Дата модификации: 03.11.2020

Размер: 434.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.