CJAC110SN10A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN:%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10A N-Channel Power MOSFET RDS(onTYP V(BR)DSS 3.4mΩ@10V 100V 4.5mΩ@4.5V ID PDFN:%5×6-8L 110A DESCRIPTION The CJAC110SN10A uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  High ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP01T13AD (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP01T13A (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ JMSH1004BGQ (JIEJIE)
 
 
A+ JMSH1004BE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1004BC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1003NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB072N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ NCEP01T18T (NCE)
 
TO-247-3 ±

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CJAC110SN10A 

Дата модификации: 12.07.2020

Размер: 2.34 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.