BLM04N06-B
Green Product
BLM04N06
60V N-Channel Power MOSFET
DESCRIPTION
KEY CHARACTERISTICS
The BLM04N06 uses advanced trench technology to provide
● VDS = 60V,ID = 150A
excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide
variety of applications.
RDS(ON) < 4.2mΩ @ VGS=10V
● High density cell design for lower Rdson
Application
● Fully characterized avalanche voltage and current
●Power...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: BLM04N06
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Примечание | N-Channel Trench MOSFET, TO-263, 60 V, 150 A, 0,0035 Ohm | |
| Ёмкость затвора |  | |
| Особенности: Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply | ||
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 20
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJB150G06AK (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | JMSL0602AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | YJG175G06AR (YJ) | — | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | JMSH0601AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMTC035N06D (JIEJIE) | TO2203L | 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0603BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0602AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | YJB200G06A (YJ) | TO263 | 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJB200G06C (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJP200G06A (YJ) | TO-220-3 | 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | JMSH0804NC-U (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WML025N06HG2 (WAYON) | TO220F | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK030N06LG4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK030N06HG4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK025N06LG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK025N06HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMM030N06HG4 (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMM025N06HG2 (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | JMSH0804NE-13 (JIEJIE) | TO263 | 800 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на BLM04N06-B
BL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 29.07.2020
Размер: 1.11 Мб
8 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.