Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ
30 января
Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря чему предлагает широчайший ассортимент продукции: от дискретных полупроводников до микросхем.
Дискретные компоненты JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ, и в настоящее время можно приобрести следующие категории товаров этого бренда:
- стабилитроны в SMD-корпусах SOD-123, SOD-323, SOD-523 и SOT-23 (таблица 1);
- биполярные транзисторы в корпусах TO-92 для сквозного монтажа и в корпусах SOT-23, SOT-323, SOT-223 для поверхностного (таблица 2). Многие из них образуют комплементарную пару, рекомендованную изготовителем;
- сборки из двух биполярных резисторов в миниатюрном корпусе SOT-363 (таблица 3);
- транзисторы с интегрированными резисторами (Resistor-Equipped Transistor, Digital Transistor или Bias Resistor Transistor) в корпусе SOT-23 (таблица 4);
- диодные мосты в SMD-корпусе DBS (таблица 5).
Все компоненты имеют диапазон температур перехода Tj = -55…150°C.
Таблица 1. Стабилитроны JSCJ
Наименование | Напряжение стабилизации при токе 5 мА, В | Максимальный ток утечки | Мощность рассеивания, мВт | Корпус | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. | Ном. | Макс. | IR, мкА | VR, В | |||
BZT52C3V3 | 3,1 | 3,3 | 3,5 | 5 | 1,0 | 500 | SOD-123 |
BZT52C3V9 | 3,7 | 3,9 | 4,1 | 3 | 1,0 | ||
BZT52C4V7 | 4,4 | 4,7 | 5,0 | 3 | 2,0 | ||
BZT52B5V6 | 5,49 | 5,6 | 5,71 | 1 | 2,0 | ||
BZT52C10 | 9,4 | 10 | 10,6 | 0,2 | 7,0 | ||
BZT52C13 | 12,4 | 13 | 14,1 | 0,1 | 8,0 | ||
BZT52C15 | 13,8 | 15 | 15,6 | 0,1 | 10,5 | ||
BZT52C30 | 28,0 | 30 | 32,0 | 0,1 | 21,0 | ||
BZT52C36 | 34,0 | 36 | 38,0 | 0,1 | 25,2 | ||
BZT52C3V0S | 2,8 | 3,0 | 3,2 | 10 | 1,0 | 200 | SOD-323 |
BZT52C3V3S | 3,1 | 3,3 | 3,5 | 5 | 1,0 | ||
BZT52C3V9S | 3,7 | 3,9 | 4,1 | 3 | 1,0 | ||
BZT52C4V7S | 4,4 | 4,7 | 5,0 | 3 | 2,0 | ||
BZT52C5V1S | 4,8 | 5,1 | 5,4 | 2 | 2,0 | ||
BZT52C5V6S | 5,2 | 5,6 | 6,0 | 1 | 2,0 | ||
BZT52C6V2S | 5,8 | 6,2 | 6,6 | 3 | 4,0 | ||
BZT52C8V2S | 7,7 | 8,2 | 8,7 | 0,7 | 5,0 | ||
BZT52C9V1S | 8,5 | 9,1 | 9,6 | 0,5 | 6,0 | ||
BZT52B10S | 9,80 | 10 | 10,20 | 0,2 | 7,0 | ||
BZT52C12S | 11,4 | 12 | 12,7 | 0,1 | 8,0 | ||
BZT52C15S | 13,8 | 15 | 15,6 | 0,1 | 10,5 | ||
BZT52C18S | 16,8 | 18 | 19,1 | 0,1 | 12,6 | ||
BZX584C3V3 | 3,1 | 3,3 | 3,5 | 5 | 1,0 | 150 | SOD-523 |
BZX84C3V3 | 3,1 | 3,3 | 3,5 | 5 | 1,0 | 300 | SOT-23 |
BZX84C4V7 | 4,4 | 4,7 | 5,0 | 3 | 2,0 | ||
BZX84C5V6 | 5,2 | 5,6 | 6,0 | 1 | 2,0 | ||
BZX84C8V2 | 7,7 | 8,2 | 8,7 | 0,7 | 5,0 | ||
BZX84C12 | 11,4 | 12 | 12,7 | 0,1 | 8,0 | ||
BZX84C15 | 13,8 | 15 | 15,6 | 0,1 | 11,2 | ||
BZX84C18 | 16,8 | 18 | 19,1 | 0,1 | 12,6 | ||
BZX84C24 | 22,8 | 24 | 25,6 | 0,1 | 16,8 |
Таблица 2. Транзисторы JSCJ
Наименование | Полярность и топология | Ток коллектора, IC, мА | Максимальное напряжение, В | Корпус | ||
---|---|---|---|---|---|---|
VCEO | VCBO | VEBO | ||||
BC547 | NPN | 100 | 45 | 50 | 6 | TO-92 |
BC557 | PNP | -100 | -45 | -50 | -5 | |
BC807 | PNP | -500 | -45 | -50 | -5 | SOT-23 |
BC817 | NPN | 500 | 45 | 50 | 5 | |
BC846 | NPN | 100 | 65 | 80 | 6 | |
BC847 | 45 | 50 | ||||
BC848 | 30 | 30 | ||||
BC856 | PNP | -100 | -65 | -80 | -5 | |
BC857 | -45 | -50 | ||||
BC858 | -30 | -30 | ||||
MMBT2222A | NPN | 600 | 40 | 75 | 6 | |
MMBT2907A | PNP | -600 | -60 | -60 | -5 | |
MMBT3904 | NPN | 200 | 40 | 60 | 6 | |
MMBT3906 | PNP | -200 | -40 | -40 | -5 | |
MMBT4401 | NPN | 600 | 40 | 60 | 6 | |
MMBT5551 | NPN | 600 | 160 | 180 | 6 | |
MMBTA06 | PNP | 500 | 80 | 80 | 4 | |
MMBTA42 | NPN | 300 | 300 | 300 | 5 | |
MMBTA92 | PNP | -200 | -300 | -300 | -5 | |
BC817W | NPN | 500 | 45 | 50 | 5 | SOT-323 |
BC846W | NPN | 100 | 65 | 80 | 6 | |
BC847W | 45 | 50 | ||||
BC856W | PNP | -100 | -65 | -80 | -5 | |
BC857W | -45 | -50 | ||||
BCP53 | PNP | -1000 | -80 | -100 | -5 | SOT-223 |
BCP56 | NPN | 1000 | 80 | 100 | 5 |
Таблица 3. Сборки JSCJ из двух транзисторов
Наименование | Полярность и топология | Ток коллектора, IC, мА | Максимальное напряжение, В | Корпус | ||
---|---|---|---|---|---|---|
VCEO | VCBO | VEBO | ||||
BC846S | NPN+NPN | 100 | 65 | 80 | 6 | SOT-363 |
BC847S | NPN+NPN | 100 | 45 | 50 | 6 | |
BC847PN | NPN+PNP | 100; -100 | 45; -45 | 50; -50 | 6; -5 | |
BC857S | PNP+PNP | -100 | -45 | -50 | -5 |
Таблица 4. Цифровые транзисторы (транзисторы со встроенными резисторами) производства JSCJ
Наименование | Полярность | Интегрированные резисторы | Ток коллектора, IC, мА | Максимальное напряжение, В | Корпус | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
R1, кОм | R2/R1 | Вход | Коллектор | ||||
DTA114EUA | PNP | 7…13 | 0,8…1,2 | -50 | -40…10 | -50 | SOT-23 |
DTC114ECA | NPN | 50 | -10…40 | 50 | |||
DTC123JCA | NPN | 1,54…2,86 | 17…26 | 100 | -5…12 | 50 | |
DTC143ECA | NPN | 3,29…6,11 | 0,8…1,2 | 100 | -10…30 | 50 |
Таблица 5. Диодные мосты JSCJ
Наименование | Повторяющееся импульсное обратное напряжение VRRM, В | Средний прямой ток IO, А | Ударный прямой ток IFSM, А | Прямое напряжение VF при токе 0,5 А, В | Максимальный обратный ток IRRM при Tj =25°C, мкА | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|
DB107S | 1000 | 1,0 | 30 | 1,05 | 10 | DBS |
Наши информационные каналы