На склад КОМПЭЛ поступили IGBT-модули Leapers для широкого спектра применений
25 декабря 2023
Компания Wuxi Leapers Semiconductor (Leapers) – это интернациональная команда опытных специалистов в области проектирования и производства полупроводников. Несмотря на относительно небольшой возраст, компания, основанная в 2019 году, имеет в активе огромный опыт инженеров из Sanyo, Mitsubishi, Toshiba и недавно вошла в топ-50 лучших развивающихся предприятий Китая. Штаб-квартира Leapers находится в КНР, а центр исследований и разработок – в Японии.
Продукция Leapers успешно применяется в различных отраслях, таких как железнодорожный и автомобильный транспорт, возобновляемые источники энергии, промышленные электроприводы, медицинское оборудование, источники питания и во многих других, где требуются высокопроизводительные и надежные силовые полупроводниковые модули IGBT, SiC и гибридные модули SiC/Si.
На рынке РФ продукцию Leapers можно приобрести со склада КОМПЭЛ, куда недавно поступили полумостовые модули IGBT типоразмеров 34 мм, 62 мм и ED3 (рисунок 1) с максимальным напряжением перехода «коллектор-эмиттер» 1200 В (таблица 1) и 1700 В (таблица 2).
Рис. 1. Внешний вид IGBT-модулей Leapers в корпусах 34 мм, 62 мм и ED3
Данные модули имеют полумостовую схему с интегрированными диодами. В корпусе ED3 дополнительно встроен термистор (рисунок 2).
Рис 2. Внутреннее устройство модулей в корпусах 34 мм и 62 мм (а), а также ED3 (б)
Общие характеристики IGBT-модулей Leapers:
- напряжение затвора ±30 В (корпус 34 мм, 62 мм) и ±20 В (корпус ED3);
- диапазон рабочих температур кристалла, Tj:
- -40…150°С (VCES = 1200 и 1700 В для корпусов 34 мм и 62 мм);
- -40…175°С (VCES = 1200 В для корпуса ED3).
- размеры корпусов:
- 32мм: 34×30,2×94 мм;
- 62мм: 61,4×30,9×106,4 мм;
- ED3: 62×20,81×152 мм.
Таблица 1. IGBT-модули Leapers c напряжением «коллектор-эмиттер» VCES 1200 В
| Наименование | Ток коллектора, А | Прямой ток диода, А | Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | Пороговое напряжение «затвор-эмиттер», VGE(th), В | Напряжение насыщения «коллектор-эмиттер», VCE(sat), В |
Корпус | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tj = 25°C | Tj = 125°C (Tj = 150°C) | Tj = 175°C | ||||||
| DFI100HF12DE1 | 100 (200) | 430 | 4,5…5,7 | 3,00 | 3,60 | – | 34 | |
| DFI150HF12DE1 | 150 (300) | 500 | 2,30 | 2,70 | ||||
| DFI200HF12DF1 | 200 (400) | 860 | 3,00 | 3,60 | – | 62 | ||
| DFI300HF12DF1 | 300 (600) | 1140 | 2,30 | 2,70 | ||||
| DFI450HF12DF1 | 450 (900) | 1420 | 5,0…6,0 | 1,95 | 2,20 | |||
| DFI300HF12I4ME1 | 300 (600) | 1364 | 5,0…6,8 | 1,65 | 1,85 (1,90) | – | ED3 | |
| DFI450HF12I4ME1 | 600 (1200) | 500 (1000) | 3750 | 1,65 | (1,85) | 1,90 | ||
| DFI600HF12I4ME1 | 800 (1600) | 700 (1400) | 5000 | 1,65 | (1,85) | 1,90 | ||
Таблица 2. IGBT-модули Leapers c напряжением «коллектор-эмиттер» VCES 1700 В
| Наименование | Ток коллектора, А | Прямой ток диода, А | Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | Пороговое напряжение «затвор-эмиттер», VGE(th), В | Напряжение насыщения «коллектор-эмиттер», VCE(sat), В | Корпус | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tj = 25°C | Tj = 125°C | Tj = 150°C | ||||||
| DFI75HF17DE1 | 75 (150) | 450 | 4,5…5,7 | 2,4 | 2,7 | – | 34 | |
| DFI100HF17DE1 | 100 (200) | 500 | 2,20 | 2,60 | ||||
| DFI150HF17DF1 | 150 (300) | 850 | 4,5…5,7 | 2,5 | 2,8 | – | 62 | |
| DFI200HF17DF1 | 200 (400) | 890 | 2,5 | 2,8 | ||||
| DFI300HF17DF1 | 300 (600) | 1100 | 2,4 | 2,8 | ||||
| DFI500HF17DFRE1 | 500 (1000) | 1645 | 5,2…6,4 | 1,8 | 2,2 | 2,3 | ||
| DFI300HF17I4RE1 | 320 (600) | 300 (600) | 2083 | 5,2…6,4 | 1,6 | 1,95 | 2,03 | ED3 |
| DFI450HF17I4RE1 | 500 (1000) | 3125 | 1,85 | 2,25 | 2,35 | |||
| DFI600HF17I4RE2 | 650 (1300) | 600 (1200) | 3906 | 1,6 | 1,95 | 2,03 | ||
Наши информационные каналы