SM12T1G
UMW
R
SMxxT1G
These dual monolithic silicon surge protection diodes are designed
for applications requiring transient overvoltage protection capability.
They are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such
as computers, printers, business machines, communication systems,
medical equipment and other applications. Their dual junction common
anode design protects two separate l...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Защитные диоды
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьПиковая рассеиваемая мощность | ||
---|---|---|
Рабочее напряжение | ||
Напряжение ограничения (номинальное) | ||
Напряжение ограничения (диапазон) | ||
Максимальное импульсное напряжение | ||
Ток утечки при рабочем напряжении | ||
Максимальный импульсный ток | ||
Тип супрессора по свойствам | двунаправленный, однонаправленный | |
Количество линий ограничения | ||
Паразитная емкость перехода | ||
Примечание | Protects one bidirectional line or two unidirectional lines |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.