IRF7413TR

UMW
UMW R IRF7413 Application l l l l l l l l l Generation VTechnology Ultra Low On-Resistance N-Channel Mosfet Surface Mount Available in Tape &Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching 100% Rg Tested Lead-Free A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D Top View Features VDS (V) = 30V RDS(ON) 12m (VGS = 10V) RDS(ON) 17m (VGS = 4.5V) Absolute Maximum Ratings Symbol VDS Parame...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Истор. имя: IRF7413TR (INFIN)
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= IRF7413 (EVVO)
 

IRF7413 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
UMW R IRF7413 Application l l l l l l l l l Generation VTechnology Ultra Low On-Resistance N-Channel Mosfet Surface Mount Available in Tape &Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching 100% Rg Tested Lead-Free A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D Top View Features VDS (V) = 30V RDS(ON) 12m (VGS = 10V) RDS(ON) 17m (VGS = 4.5V) Absolute Maximum Ratings Symbol VDS Parameter Max Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current Units Power Dissipation 30 ± 20 13 9.2 58 2.5 EAS Linear Derating Factor Single Pulse Avalanche Energency 0.02 260 W mW/°C mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 °C VGS ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM PD @TA = 25°C c d e V A Thermal Resistance Ratings Symbol RθJL RθJA www.umw-ic.com Parameter Junction-to-Drain Lead Junction-to-Ambient g 1 Ty p Max ––– 20 ––– 50 Units °C/W UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на IRF7413TR 

UMW IRF7413TR

Дата модификации: 17.04.2024

Размер: 417.5 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.