AO4884
UMW
R
AO4884
Dual N-Channel MOSFET
General Description
D1
D2
The AO4884 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON) with low gate charge. This is an all
purpose device that is suitable for use in a wide range of
power conversion applications.
G1
G2
Product Summary
S1
VDS
ID (at VGS=10V)
40V
10A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 13mΩ
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
< 16mΩ
S2
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 1 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.