AO4826
UMW
R
AO4826
Dual N-Channel MOSFET
General Description
D1
The AO4826 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
D2
G1
G2
S1
S2
General Features
VDS = 60V ID =6.3 A
S2
G2
S1
G1
RDS(ON) < 25mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 30mΩ @ VGS=4.5V
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
ABSOLU...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 50 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.