AO4826

UMW
UMW R AO4826 Dual N-Channel MOSFET General Description D1 The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. D2 G1 G2 S1 S2 General Features VDS = 60V ID =6.3 A S2 G2 S1 G1 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS=10V RDS(ON) < 30mΩ @ VGS=4.5V 1 2 3 4 8 7 6 5 D2 D2 D1 D1 ABSOLU...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
UMW R AO4826 Dual N-Channel MOSFET General Description D1 The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. D2 G1 G2 S1 S2 General Features VDS = 60V ID =6.3 A S2 G2 S1 G1 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS=10V RDS(ON) < 30mΩ @ VGS=4.5V 1 2 3 4 8 7 6 5 D2 D2 D1 D1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL LIMIT Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ± 20 Continuous Drain Current TC = 25 °C TC = 125 °C Continuous Source Current (Diode Conduction) a Pulsed Drain Current b Single Pulse Avalanche Current Single Pulse Avalanche Energy Maximum Power Dissipation b L = 0.1 mH TC = 25 °C TC = 125 °C Operating Junction and Storage Temperature Range ID V 7 4 IS 3.6 IDM 28 IAS 18 EAS 16.2 PD UNIT 4 1.3 A mJ W TJ, Tstg -55 to +175 °C SYMBOL LIMIT UNIT RthJA 110 RthJF 34 THERMAL RESISTANCE RATINGS PARAMETER Junction-to-Ambient PCB Mount c Junction-to-Foot (Drain) °C/W Notes a. Package limited. b. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %. c. When mounted on 1" square PCB (FR4 material). www.umw-ic.com 1 UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на AO4826 

UMW AO4826

Дата модификации: 27.07.2022

Размер: 384.5 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)