AO4405

UMW
UMW R AO4405 P-Channel MOSFET General Description The AO4405 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features VDS = -30V ID = -6 A RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=10V A p p lic a tio n Battery protection Load switch Uninterruptible power supply Absolute Maximum Ratings TA=2...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRF7205 (EVVO)
 

IRF7205 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R AO4405 P-Channel MOSFET General Description The AO4405 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features VDS = -30V ID = -6 A RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=10V A p p lic a tio n Battery protection Load switch Uninterruptible power supply Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS TA=25°C Continuous Drain Current TA=70°C Pulsed Drain Current Avalanche Current C Avalanche energy L=0.1mH C VDS Spike 10µs TA=25°C Power Dissipation B TA=70°C Thermal Characteristics Parameter Maximum Junction-to-Ambient A Maximum Junction-to-Ambient A D Maximum Junction-to-Lead www.umw-ic.com Steady-State Steady-State V A IDM -30 IAS, IAR 17 A EAS, EAR 14 mJ VSPIKE -36 V 3.1 W 2 -55 to 150 TJ, TSTG Symbol t ≤ 10s ±20 -5.1 PD Junction and Storage Temperature Range Units V -6 ID C Maximum -30 Typ 31 59 16 RθJA RθJL 1 °C Max 40 75 24 Units °C/W °C/W °C/W UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на AO4405 

UMW AO4405

Дата модификации: 29.07.2022

Размер: 486.6 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)