YJS8025BF2

SUNCO
RoHS YJS8205B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 7A ＜18mohm ＜22mohm ＜39mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability SOT-23-6L Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absol...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS8205B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 7A ＜18mohm ＜22mohm ＜39mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability SOT-23-6L Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 7 TA=25℃ Drain Current ID A 6.6 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 30 A 1.5 W 0.96 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 83 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS8025B F2 8205B 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E016 Rev.3.0,25-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS8025BF2 

Microsoft Word - YJS8205B Rev 3.0

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 1.28 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)